学术报告

报告题目：高迁移率薄膜晶体管及其在新型显示和类脑计算中的应用探索

报告人：华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室兰林锋研究员

报告时间：2025年1月6日上午9：40

报告地点：知行楼B509

报告摘要：薄膜晶体管（Thin-Film Transistor，TFT）是以非硅薄膜型半导体为有源层的场效应晶体管，其作为数据写入或读出的基础单元器件广泛用于显示及各类传感阵列中。在显示应用方面，TFT面临迁移率低、稳定性差的问题。课题组研究了稀土离子的电荷转移跃迁对氧化物半导体的光稳定性的改善作用。研究表明：四价稀土离子（ 如Pr4+和Tb4+）的电荷转移跃迁能将入射光下转换成无辐射跃迁（从|Ln4f n—O2p6>态转移至|Ln4f n+1—O2p5>），大幅降低光生电子的寿命，从而大幅改善氧化物TFT光热稳定性，同时提高迁移率。相关材料与通过京东方、TCL华星的工艺验证，目前正导入高世代G8.6产线。此外，进一步探索了TFT的可拉伸化构建及其在类脑计算中的新应用，实现了具有长程可塑、学习记忆功能的可拉伸突触晶体管。

报告人简介：兰林锋，华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室研究员，光电系主任，博士生导师，国家优秀青年基金获得者、珠江学者。科技部“十五五”规划总体专家组专家，教育部全国研究生教育评估监测专家，教育部首批全国高校“黄大年式”教师团队成员。担任国际信息显示协会（北京分会）技术委员会委员，中国物理学会发光分会委员，Materials期刊编委。主要从事半导体材料与器件、薄膜晶体管、新型显示、柔性电子、印刷电子等方向的研究。获广东省技术发明一等奖、中国光学科技奖三等奖、全国颠覆性技术创新大赛优秀奖、世界客属优秀青年博士奖、广东省材料研究学会青年科技奖等。发表SCI论文150多篇，被引用5000多次。获授权发明专利40多件。编写“十三五”国家重点规划出版物《印刷显示材料与技术》、“十四五”国家重点规划出版物《薄膜晶体管材料与技术》等教材或专著。

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